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英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心

  • IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成，配備極紫外線光刻（EUV）設(shè)備。▲ 圖源：英特爾設(shè)備制造商和材料公司將付費使用該設(shè)施進行原型設(shè)計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。IT之家查詢獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設(shè)法使用集成科學(xué)和工程知識來解決日本社會和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構(gòu)，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構(gòu)的一個新設(shè)計的法律機構(gòu)。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問世，大幅降本增效

  • 日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設(shè)計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。
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臺積電不用當(dāng)盤子了？日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)

  • 荷商艾司摩爾（ASML）是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報導(dǎo)，日本科學(xué)家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導(dǎo)指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是，新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備，安裝時間需要數(shù)月，預(yù)計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設(shè)備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定

  • IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
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臺積電大舉拉貨EUV光刻機

  • 臺積電依然是 EUV 設(shè)備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成，臺廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備廠商透露，EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊，交期長達 16~20
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EUV 的單次曝光與多次曝光的進步

  • 在過去的五年中，EUV 模式設(shè)計取得了長足的進步，但高 NA EUV 又重現(xiàn)了舊的挑戰(zhàn)。
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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獨擁四大連續(xù)制程設(shè)備 TEL成EUV出貨大贏家

  • 國際設(shè)備大廠東京威力科創(chuàng)（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續(xù)制程設(shè)備之公司，是晶圓片進入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著芯片設(shè)計演進，蝕刻技術(shù)不斷朝著3D化方向演進，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數(shù)的增加，在成膜次數(shù)跟蝕刻時間、次數(shù)也會隨之增加，所需的機臺數(shù)量同步成長。 EUV大廠擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設(shè)置研發(fā)中心，近期更會擴增潔凈室規(guī)模
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臺積電EUV大舉拉貨 供應(yīng)鏈集體狂歡

  • 臺積電2納米先進制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過60臺EUV，總投資金額上看超過4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下，ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成，臺廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設(shè)備業(yè)者透露，EUV機臺供應(yīng)吃緊，交期長達16至20個月，因此2024年訂單大部分會于后年開始交付；據(jù)法人估計，今年臺積電EUV訂
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改變?摩爾定律的未來是粒子加速器嗎？

  • 位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認(rèn)為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術(shù)可能會更便宜、更快、更高效。
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ASML市值超車LVMH，成為歐洲第二大上市公司

  • 最新 EUV 設(shè)備的銷售情況對 ASML 的市值產(chǎn)生了明顯影響。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了

  • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預(yù)計可將半導(dǎo)體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33，對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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